Unter Chemical Vapor Deposition (CVD) versteht man ein chemisches Verfahren aus der Halbleiterindustrie, bei dem auf der Oberfläche eines Wafers eine dünne Filmschicht mit Hilfe gasförmiger Stoffe abgeschieden wird. Man unterscheidet ferner zwischen PECVD (Plasma-Enhanced CVD), LPCVD (Low-Pressure CVD) und APCVD (Atmospheric-Pressure CVD). Gängige Dünnschichten sind Polysilizium als Halbleiterschicht, Oxid und Nitrid als dielektrische Schicht und Metalle als leitende Schicht. Dabei werden Gase wie Silan, TEOS, Sauerstoff, Stickstoff, Distickstoffmonoxid und Ammoniak verwendet, um dielektrische Schichten aufzuwachsen, wohingegen für das Aufwachsen leitender Schichten zum Beispiel Wolframhexafluorid verwendet wird.
| CVD Prozess |
Typische Gase |
| Oxid / Nitrid / Oxynitrid |
TEOS, SiH4, NH3, N2O, O2 |
| Wolfram |
WF6, SiH4, H2 |
| Clean, Kammer-Reinigung |
NF3, CF4, C3F8, SF6 |
