Verbindungshalbleiter (MOCVD)

MOCVD, oder korrekter metallorganische Gasphasenabscheidung, (MOVPE bzw. OMVPE), ist ein Verfahren zur Herstellung monokristalliner (epitaktischer) Verbindungen aus Elementen der Gruppen III und V des Periodensystems. Verbindungen wie GaAs, InP und GaN werden zur Herstellung unterschiedlicher Produkte verwendet, wie z.B. optoelektronischer Bauteile, Transistoren, Solarzellen und LEDs.

Aufgrund der Toxizität der verwendeten Materialien gehört das MOCVD-Verfahren zu den kritischsten Anwendungen in Bezug auf die Schadgasbeseitigung. Sicherheit des Bedienungspersonals und Vermeidung von toxischen Emissionen stehen hier im Mittelpunkt.

MOCVD Prozess Typische Gase
Transistoren AsH3, PH3, NH3, TBAs, TBP, UDMH, TMAl, TMGa, TMIn, H2
Optoelektronik
III-V Photovoltaik
LED Beleuchtung
III-V-on-Si
CS-Clean Solutions Picture Cleansorb at Work