等离子体蚀刻

在干式等离子蚀刻中,作为低压等离子从卤素气体中产生的高反应辐射离子用于将精细结构蚀刻成基底晶片。氟、氯和溴化合物通常根据要构建的材料用作主要蚀刻气体。

等离子体蚀刻工艺治理的关键问题包括:由于金属蚀刻排气管线阻塞造成的生产时间损失;由于强腐蚀蚀刻(尤其是溴化学反应)引起的管道腐蚀;导致全球变暖的 PFC 气体;有毒蚀刻副产品排放到空气和水(如来自砷化镓蚀刻的砷)中。

等离子体蚀刻工艺使用的典型气体
金属蚀刻Cl2, BCl3, HCl, CF4, SF6
多晶硅蚀刻Cl2, HBr, SF6, CF4, NF3, C4F8
电介质蚀刻CF4, CHF3, C2F6, C3F8, C4F8, CH2F2, NF3
钨反蚀刻SF6
III-V (GaAs) 蚀刻Cl2, BCl3, HBr, SF6, CH4
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