等离子体室清洗

多数 CVD 工艺都包括等离子体室清洗步骤,目的是从晶片加工工序的腔室壁上清除沉积的硅、金属、氧化物或其他 CVD 副产品。

上游“远程”等离子体源最常见于硅 CVD 中,用于产生氟来作为三氟化氮 NF3 的蚀刻剂。
腔室清洗中使用的临时高流量腐蚀性气体对很多非干式治理技术提出挑战。CLEANSORB 干式吸收技术允许从源头去除酸性腐蚀气体,避免成本高昂的氯化物和氟化物废水处理。

工艺应用 使用的典型气体
硅室清洗 F2(来自远程 NF3 等离子体)
MOCVD 室清洗 Cl2, HCl
光伏室清洗 F2(来自氟发生器)
CLEANSORB® At Work