离子注入

作为集成晶体管电路制造中 p 型和 n 型掺杂区的主要步骤，要将可控数量的 III、IV 和 V 族元素以极低“掺杂”浓度引入硅衬底材料中。

虽然离子注入中所用掺杂剂的流速极低，但使用的气体毒性极高，需要净化处理。虽然多数污染物从注入机的离子源排出，但离子源和水腔室通常连接至 CLEANSORB 干式吸收器。