应用列表

工艺应用使用过的典型气体或液体前驱物
等离子体蚀刻
金属蚀刻Cl2, BCl3, HCl, CF4, SF6
多晶硅蚀刻Cl2、HBr、Br2、SF6、CF4、NF3、C4F8
氮化物蚀刻、氧化物蚀刻CF4、CHF3、C2F6、C3F8、C4F8、CH2F2、NF3
SF6、O2
钨反蚀刻SF6
离子注入
高、中、低AsH3、PH3、BF3、P、As、Sb、Sb(CH3)3、GeH4、GeF4
ALD、LPCVD、PECVD、HDP-CVD
TEOS,无掺杂TEOS、O2、O3
BPSGTEOS、O3、TMP、TMB、SiH4、PH3、B2H6
多晶硅(有掺杂)SiH4、(AsH3、PH3)
硅锗SiH4、GeH4
氧化物SiH4、O2
氮化物,有掺杂SiH4、NH3、(TMP、TMB、SiH4、PH3、B2H6)
氮氧化物,有掺杂SiH4、NH3、N2O、(TMP、TMB、SiH4、PH3、B2H6)
低介电常数材料1MS、2MS、3MS、4MS、DMDMOS
高介电常数材料TMA、TEMAH、TDEAH、TAETO、PET
栅极MPA、Ru(Etcp)2、PEMAT
铜 CVDCu(hfac)(TMVS)
钨(硅化物)WF6、SiH4、H2、(DCS)
势垒层TiCl4、H3、TDMAT、PDMATa、PDEATa、
TAETO, W(CO)6
等离子体室清洗
PFC 等离子体C2F6、C4F8、NF3
远程 NF3 等离子体F2
外延
硅(有掺杂)DCS、TCS、SiH4、(AsH3、PH3、B2H6)
硅锗SiH4、GeH4、CBr4、1MS、2MS、3MS、HCl
碳化硅 (SiC)SiH4、CH4、C3H8、TMA、HCl
Si 上的化合物半导体、光电材料、III-V 族半导体
GaAs、InP MOVPE (MOCVD)TMGa、AsH3、TBA、TMIn、PH3、TBP
GaN MOVPE (MOCVD)TMGa、NH3、UDMH
MBE (MOMBE)As、P、AsH3、PH3
III-V 蚀刻Cl2、BCl3、HBr、SiF4、SF6、CH4、GaCl3、InCl3、AsH3、O2
光伏
聚光光伏PH3, AsH3, metalorganics, SiH4, GeH4
CIGSH2S, H2Se
气源
紧急气体排放吸收器有毒、易燃、腐蚀
气柜净化