| 等离子体蚀刻 |
| 金属蚀刻 |
Cl2, BCl3, HCl, CF4, SF6 |
| 多晶硅蚀刻 |
Cl2、HBr、Br2、SF6、CF4、NF3、C4F8 |
| 氮化物蚀刻、氧化物蚀刻 |
CF4、CHF3、C2F6、C3F8、C4F8、CH2F2、NF3、 |
|
SF6、O2 |
| 钨反蚀刻 |
SF6 |
| 离子注入 |
| 高、中、低 |
AsH3、PH3、BF3、P、As、Sb、Sb(CH3)3、GeH4、GeF4 |
| ALD、LPCVD、PECVD、HDP-CVD |
| TEOS，无掺杂 |
TEOS、O2、O3 |
| BPSG |
TEOS、O3、TMP、TMB、SiH4、PH3、B2H6、 |
| 多晶硅（有掺杂） |
SiH4、(AsH3、PH3) |
| 硅锗 |
SiH4、GeH4 |
| 氧化物 |
SiH4、O2 |
| 氮化物，有掺杂 |
SiH4、NH3、(TMP、TMB、SiH4、PH3、B2H6) |
| 氮氧化物，有掺杂 |
SiH4、NH3、N2O、(TMP、TMB、SiH4、PH3、B2H6) |
| 低介电常数材料 |
1MS、2MS、3MS、4MS、DMDMOS |
| 高介电常数材料 |
TMA、TEMAH、TDEAH、TAETO、PET |
| 栅极 |
MPA、Ru(Etcp)2、PEMAT |
| 铜 CVD |
Cu(hfac)(TMVS) |
| 钨（硅化物） |
WF6、SiH4、H2、(DCS) |
| 势垒层 |
TiCl4、H3、TDMAT、PDMATa、PDEATa、 |
|
TAETO, W(CO)6 |
| 等离子体室清洗 |
| PFC 等离子体 |
C2F6、C4F8、NF3 |
| 远程 NF3 等离子体 |
F2 |
| 外延 |
| 硅（有掺杂） |
DCS、TCS、SiH4、(AsH3、PH3、B2H6) |
| 硅锗 |
SiH4、GeH4、CBr4、1MS、2MS、3MS、HCl |
| 碳化硅 (SiC) |
SiH4、CH4、C3H8、TMA、HCl |
| Si 上的化合物半导体、光电材料、III-V 族半导体 |
| GaAs、InP MOVPE (MOCVD) |
TMGa、AsH3、TBA、TMIn、PH3、TBP |
| GaN MOVPE (MOCVD) |
TMGa、NH3、UDMH |
| MBE (MOMBE) |
As、P、AsH3、PH3 |
| III-V 蚀刻 |
Cl2、BCl3、HBr、SiF4、SF6、CH4、GaCl3、InCl3、AsH3、O2 |
| 光伏 |
| 聚光光伏 |
PH3, AsH3, metalorganics, SiH4, GeH4 |
| CIGS |
H2S, H2Se |
| 气源 |
| 紧急气体排放吸收器 |
有毒、易燃、腐蚀 |
| 气柜净化 |
