СЛОВАРЬ

A

Абсорбция

Поглощение молекул одного вещества непосредственно другим веществом. Абсорбция может быть или физическим, или химическим процессом, физическая абсорбция включает такие факторы, как связь между растворимостью и давлением паров, а химическая абсорбция включает химические реакции между поглощенным веществом и поглощающей средой.

Адсорбция

Осаждение молекул жидкостей, газов и растворенных веществ на поверхностях твердых тел, в противоположность абсорбции.

ALCVD

Химическое осаждение атомарных слоев из паров(Atomic Layer Chemical Vapor Deposition); то же, что осаждение атомарных слоев (ОАС).

ОАС

Осаждение атомарных слоев — метод осаждения, при котором осаждение каждого атомарного слоя материала управляется предварительно осажденным слоем исходного реагента; исходные реагенты и различные компоненты пленки вводятся попеременно; особенности метода — 100 % покрытие за один этап и очень хорошая конформность; метод используется, например, при осаждении разных диэлектриков для создания МОП-затворов.

ЭАС

Эпитаксия атомных слоев (ЭАС) — процесс осаждения атомарных слоев, при котором образуется эпитаксиальный слой.

Анизотропное травление

Травление, при котором скорость травления в направлении, перпендикулярном к поверхности, много выше, чем в направлении, параллельном поверхности; при этом не происходит никакого подтравливания, то есть минимизирована поперечная деформация структуры; необходимо для определения очень плотноупакованных геометрий.

Отжиг

Тепловая обработка, которой подвергаются подложка, чтобы изменить свойства обрабатываемых материалов или структур, поверхностные или объемные.

APCVD

Химическое осаждение из паровой фазы при атмосферном давлении (Atmospheric Pressure Chemical Vapor Deposition) — процесс химического осаждения из паровой фазы, выполняемый при атмосферном давлении; результатом обычно бывает низкое качество пленки и низкая конформность по сравнению с аналогичным процессом при низком давлении (LPCVD).

Озоление

Удаление (путем испарения) органических материалов (например, фоторезиста) с поверхности подложки в среде сильного окислителя, например, озоление с помощью кислородной плазмы.

B

Барьерный металл

Тонкий слой металла, например TiN, помещаемый между другим металлом и полупроводником (или изолятором), чтобы предотвратить возможные вредные взаимодействия между ними, например, образование выбросов.

Групповой процесс

Процесс, при котором обрабатываются одновременно несколько подложек; противоположен обработке единственной подложки; например, термическое окисление в печи (горизонтальной или вертикальной) представляет собой показательный пример группового процесса.

BPSG

Борофосфорносиликатное стекло — двуокись кремния (кремнезем) с добавкой бора и фосфора для понижения температуры начала плавления стекла (окиси) приблизительно с 950 °C для чистого SiO2 до 500 °C для BPSG; используется для выравнивания поверхности, химически осажденной из паровой фазы.

Барботажное устройство

Контейнер с жидкостью, через которую пропускается тот или иной инертный газ-носитель для переноса некоторого парциального давления жидкости в технологический канал или в реакционную камеру.

C

ХСИЛТ

Химически стимулированное ионно-лучевое травление

Газ-носитель

Инертный газ, используемый для транспортировки других элементов в технологический канал или в реакционную камеру.

CBE

Химико-пучковая эпитаксия

Химическое травление

Процесс травления посредством химической реакции между химически активными реагентами для травления и материалом, подвергаемым травлению; изотропный и избирательный.

Хемосорбция

Абсорбция реагентов (адсорбатов) на твердых поверхностях с образованием химической связи между адсорбатом и поверхностью.

Класс чистой комнаты

Государственная спецификация в форме стандарта FED-STD-209, которой определяется число частиц указанного размера и распределения по кубическому объему пространства для каждого класса.

КМОП

Комплементарная структура металл-оксид-полупроводник. Семейство логических элементов, получаемых за счет комбинации n-канальных и p-канальных МОП-транзисторов.

ХМП

Химико-механическая полировка, химико-механическая планаризация — метод удаления слоев твердого тела с помощью химико-механической полировки, выполняемой с целью выравнивания поверхности и выявления конфигурации межметаллических соединений; ключевой заключительный процесс поточного производства интегральных микросхем.

Полупроводниковое соединение

Полупроводник образуется с помощью двух или более элементов; полупроводниковые соединения не возникают в природе, они синтезируются с помощью элементов из групп со II по VI периодической таблицы, например из групп II и V (соединения III-V) или II и VI (соединения II-VI).

Стоимость владения

Полные затраты производителя на свою собственную часть основного оборудования в течение его срока эксплуатации, включая начальную стоимость и ежегодные эксплуатационные расходы.

Криогенный насос

Высоковакуумный насос, функционирующий в диапазоне давлений приблизительно от 10-3 до 10-10 торр; молекулы газа удаляются из вакуума благодаря их захвату на охлажденных поверхностях; обеспечивает эффективное и без загрязнений откачивание; обычно используется в высококачественном вакуумном оборудовании при производстве полупроводников.

CVD

Химическое осаждение из паровой фазы (Chemical Vapor Deposition) — процесс в газовой среде, при котором осаждаются изолирующие или металлические пленки на подложку при повышенной температуре. Для ускорения химической реакции часто используется пониженное давление.

D

Диффузия

Процесс спекания или связывания новых тонких слоев на кремниевой подложке. Выполняется с помощью диффузионных печей, окисления под высоким давлением и быстрой термообработки.

Легирующая добавка

Элемент, который изменяет проводимость полупроводникового материала, вводя в кристалл свободные дырки (p-тип) или электроны (n-тип). В качестве добавок к кремнию p-типа обычно используется бор, а в качестве добавок n-типа — фосфор, мышьяк и сурьма.

Легирование

Введение легирующей добавки в полупроводник для изменения его электрических свойств путем создания концентрации носителей n-типа или p-типа. Легирование обычно выполняется с помощью процессов диффузии или ионной имплантации.

Сток

Сильно легированная область в полупроводнике, расположенная на конце канала в полевых транзисторах; носители выходят из транзистора через сток.

ГРИТ

Глубокое реактивное ионное травление (ГРИТ); метод используется для установки границ глубоких геометрических конфигураций в кремнии; необходим для формирования структур MEMS.

Сухое травление

Сухое травление выполняется в газовой фазе; может быть или чисто химическим (плазменное травление), или чисто физическим (ионным травлением), или комбинацией обоих методов (реактивное ионное травление, РИТ).

Безмасляный насос

Полностью безмасляный (без применения масла) форвакуумный (до вакуума приблизительно 10-3 торр) насос; все чаще используется в новейшем оборудовании для обработки полупроводников, поскольку в нем не используется масло; безмасляный винтовой насос: ротор в форме винта выталкивает молекулы газа наружу.

E

Эпитаксиальный слой

Выращиваемый кристаллический слой (обычно легированный), имеющий такую кристаллографическую ориентацию, что и подложка. Также называемый Epi.

Эпитаксия

Процесс, при котором тонкий слой монокристаллического материала осаждается на монокристаллической подложке; эпитаксиальный рост происходит таким образом, что кристаллографическая структура подложки воспроизводится в растущем слое; в растущем слое также воспроизводятся дефекты кристаллической решетки подложки.

Травление

Процесс удаления материала (например, окисей или других тонких пленок) химическими, электролитическими или плазменными (ионной бомбардировкой) методами.

F

Полевой транзистор

Полевой транзистор — транзистор, в котором выходной ток (ток исток-сток) управляется напряжением, прилагаемым к затвору, который может иметь МОП-структуру (МОП-транзистор), представлять собой p-n-переход (полевой транзистор с p-n-переходом) или иметь структуру металл-полупроводник (ПТШ); полевой транзистор является униполярным транзистором, то есть ток управляется только главными носителями.

FTIR

Инфракрасная спектроскопия с преобразованием Фурье — метод получения характеристик материалов, используемый для исследования состава материалов на основе анализа спектральных полос поглощения; используется спектрометр Фурье; образцы должны быть прозрачны для инфракрасного излучения.

Печь

Устройство, используемое при изготовлении полупроводниковых приборов для высокотемпературной обработки подложек в среде строго управляемого состава; используются массивные нагревательные элементы, поэтому не допускаются быстрые изменения температуры подложек; процесс требует большого количества тепловой энергии; экономичной альтернативой является процесс RTP.

Горизонтальная печь

Печь для высокотемпературной обработки полупроводниковых подложек с горизонтальным расположением технологического канала и вертикальным расположением подложек в кассете; используется для термического окисления, химического осаждения из паровой фазы, диффузии и отжигов; предназначена для групповой обработки; противоположная конструкция — вертикальная печь.

Вертикальная печь

Печь для высокотемпературной обработки полупроводниковых подложек с вертикальным расположением технологического канала и горизонтальным расположением подложек внутри канала; превосходит горизонтальную печь по постоянству нагрева, совместима с автоматической загрузкой подложек и занимает меньше места; необходимо предотвращать деформацию закрепленных горизонтально подложек; предназначена для групповой обработки.

G

Затвор

Структура, используемая для управления выходным током (например, потоком носителей в канале) в полевых транзисторах; в МОП-транзисторах затвор состоит из контакта затвора и тонкой пленки оксида; в ПТШ затвор — контакт Шоттки; в полевых транзисторах с p-n-переходом — металл и p-n-переход.

Оксидный слой затвора

Тонкий слой термически образованного оксида, отделяющий электрод (вывод) затвора от полупроводниковой подложки.

H

HDP

Плазма высокой плотности — плазма с высокой концентрацией свободных электронов и, следовательно, высокой концентрацией ионов.

HDPCVD

Химическое осаждение из паровой фазы с плазмой высокой плотности

I

ICP

Индуктивно-связанная плазма; плазма высокой плотности, используемая для обработки полупроводников, в частности, для травления.

Имплантационная установка

Устройство, используемое для ионной имплантации.

Ионная имплантация

Средство для введения легирующих добавок в полупроводниковый материал. Заряженные атомы (ионы) ускоряются в электрическом поле и внедряются в полупроводниковый материал. Данный метод особенно эффективен для создания тонких легированных областей. Такой процесс гораздо точнее, чем диффузионный метод легирования.

J

Полевой транзистор с p-n-переходом

Полевой транзистор, в котором канал и его проводимость управляются изменением ширины объемной заряженной области, связанной с p-n-переходом.

L

Литография

Перенос конфигурации или изображения с одного носителя на другой, например с маски на подложку. Если для осуществления переноса применяется свет, используется термин фотолитография. Микролитографией называется процесс, в котором для переноса изображений применяется излучение в субмикронном диапазоне.

LPCVD

Химическое осаждение из паровой фазы при низком давлении — процесс химического осаждения из паровой фазы, выполняемый при пониженном (по сравнению с атмосферным) давлении.

M

МЛЭ

Молекулярно-лучевая эпитаксия (МЛЭ) — процесс физического осаждения (в основном из паровой фазы), выполняется в сверхвысоком вакууме (ниже 10-8 торр) и при температуре подложки, обычно не превышающей 800 °C; свободный (молекулярный) поток реагентов для осаждения и химическая чистота поверхности подложки позволяют получить хорошо управляемый рост ультратонких эпитаксиальных слоев; метод осаждения с высочайшей точностью, используемый при обработке полупроводников.

MEMS

Микроэлектромеханические системы, получаемые микрообработкой в кремнии; обычно встраиваются в интегральные схемы; разделяются на две категории: микродатчики и микроприводы; в зависимости от применяемого способа действия основаны на электромагнитных, термоупругих, пьезоэлектрических или пьезорезистивных эффектах.

ПТШ

Полевые транзисторы с контактом металл-полупроводник (диодом Шоттки) в качестве затвора; позволяют реализовать полевые транзисторы на полупроводниках, которые не имеют высококачественных природных оксидов (например, арсенид галлия GaAs) и поэтому не позволяют получить МОП-затворы.

Металлизация

Металлизация — процесс осаждения тонкой пленки металла и формирование соответствующего рисунка для организации необходимой структуры соединений.

MOCVD

Химическое осаждение из паровой фазы металлоорганических соединений (Metal-Organic Chemical Vapor Deposition) — процесс химического осаждения из паровой фазы, при котором используются металлоорганические соединения, термически разлагающиеся при температурах более низких, чем другие металлосодержащие соединения; метод часто используется при эпитаксиальном выращивании очень тонких пленок полупроводников III-V.

МОП-транзистор

Полевой транзистор с МОП-структурой затвора; токи протекают в канале между истоком и стоком; канал создается при прикладывании соответствующего потенциала к выводу затвора и инвертировании поверхности полупроводника под затвором; МОП-структура реализуется почти исключительно для кремния и его оксида SiO2 для затвора; эффективное переключающее устройство, доминирующее в логических устройствах и устройствах памяти; р-МОП-транзистор (p-канал, кремниевая подложка n-типа) и n-МОП-транзистор (n-канал, кремниевая подложка p-типа) при объединении образуют базовую КМОП-ячейку.

MPA

1-метилпирролидин алан

Среднее время наработки на отказ

Представляет собой обратную величину от суммы интенсивностей отказов каждого компонента системы.

N

Полупроводник n-типа

Полупроводниковый кристалл, содержащий небольшое количество легирующих атомов, имеющих на один валентный электрон больше, чем другие атомы в кристалле. Эти дополнительные электроны не могут найти незанятые связи, чтобы их занять, поэтому они свободно перемещаются и образуют электрический ток. Обычными легирующими добавками n-типа для кремния являются фосфор и мышьяк.

O

OMVPE

Эпитаксия из паровой фазы металлоорганических соединений

Окисление

Химический процесс соединения кислорода с другим химическим элементом. В полупроводниках окисление означает соединение кислорода и кремния с образованием двуокиси кремния (SiO2).

Оксид

В полупроводниковой технологии так обычно обозначается двуокись кремния (SiO2).

Травление оксида

Удаление двуокиси кремния.

P

Полупроводник p-типа

Полупроводниковый кристалл, содержащий небольшое количество легирующих атомов, имеющих на один внешний электрон меньше, чем другие атомы. Каждый легирующий атом приводит к появлению одного незанятого места, называемого дыркой, среди электронов на своих орбитах. Дырки положительно заряжены и фактически передвигаются, образуя электрический ток. В качестве легирующих добавок p-типа к кремнию обычно используется бор.

PDMAT

Пентакис(диметиламин)тантал

PECVD

Плазмохимическое осаждение из паровой фазы (Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition) — химическое осаждение из паровой фазы при низком давлении с использованием ВЧ энергии.

Фоторезист

Светочувствительная жидкость, наносимая на подложку в виде однородной тонкой пленки. После обжига выполняется экспозиция с помощью маски с конкретной конфигурацией. Материал, остающийся после проявления, сопротивляется последующему травлению или имплантации.

Физическое травление

Травление распылением — процесс травления через физические взаимодействия (передача момента) между ускоряемыми ионами химически инертных веществ (например, Ar) и протравливаемым твердым телом; анизотропное, неизбирательное.

Физическая адсорбция

Самая слабая форма адсорбции, являющаяся результатом чисто физического притяжения (вандерваальсовы силы) между адсорбатом и поверхностью; не образуется никакой химической связи между адсорбатом и поверхностью.

Плазма

Электропроводящий газ, состоящий из ионизированных частиц, которые используются для вытравливания ненужного материала в процессе химической или физической бомбардировки. Плазменное травление происходит в реакторе, который может быть объемного или плоского типа.

Плазменное травление

Сухое травление, при котором полупроводниковая подложка погружается в плазму, содержащую травящие реагенты; химическая реакция травления происходит с одинаковой скоростью в любом направлении, то есть травление изотропно; может быть очень избирательным; используется тогда, когда не требуется направленность (анизотропия) травления, например при удалении резиста.

Поликремний

Поликристаллический кремний. Иногда называемый поликристаллом. Форма кремния, состоящая из многих небольших случайно ориентированных кристаллов. Легированный поликремний является проводником электрического тока и часто используется как альтернатива металлу при соединении элементов в интегральных схемах.

ppb

частей на миллиард

ppm

частей на миллион

PVD

Физическое осаждение из паровой фазы (Physical Vapor Deposition) — осаждение тонких пленок, осуществляемое с помощью физического переноса материала (например, с помощью термического испарения или распыления) от источника к подложке; химический состав осажденного материала во время данного процесса не изменяется.

R

Отдаленная плазма

Данным термином обозначается режим плазменной обработки, при котором подложка располагается отдельно от плазмы и, следовательно, не подвергается ее непос