Список применений

Использование в технологических процессахТипичные газообразные и жидкие исходные реагенты, используемые в процессах
Плазменное травление
Травление металловCl2, BCl3, HCl, CF4, SF6
Множественное травлениеCl2, HBr, Br2, SF6, CF4, NF3, C4F8
Травление нитридов и оксидовCF4, CHF3, C2F6, C3F8, C4F8, CH2F2, NF3,
SF6, O2
Протравливание вольфрамаSF6
Ионная имплантация
Высоких, средних и малых энергийAsH3, PH3, BF3, P, As, Sb, Sb(CH3)3, GeH4, GeF4
ОАС, LPCVD, PECVD, HDP-CVD
Тетраэтилортосиликат (ТЭОС), беспримесныйТЭОС, O2, O3
BPSGТЭОС, O3, TMP, TMB, SiH4, PH3, B2H6
Поликремний (Poly-Si) (легированный)SiH4, (AsH3, PH3)
Кремний-германийSiH4, GeH4
ОксидSiH4, O2
Нитрид, легированныйSiH4, NH3, (TMP, TMB, SiH4, PH3, B2H6)
Оксинитрид, легированныйSiH4, NH3, N2O, (TMP, TMB, SiH4, PH3, B2H6)
Диэлектрики с пониженной диэлектрической проницаемостью1MS, 2MS, 3MS, 4MS, DMDMOS
Диэлектрики с высокой диэлектрической проницаемостьюТМА, ТЭМАГ, ТДЭАГ, TAETO, PET
Электроды затвораMPA, Ru(Etcp)2, PEMAT
Химическое осаждение медиCu(hfac)(TMVS)
Силицид вольфрамаWF6, SiH4, H2, (DCS)
Барьерные слоиTiCl4, NH3, ТДМАТ, PDMATa, PDEATa,
TAETO, W(CO)6
Плазменная очистка камер
Плазма перфторированных соединенийC2F6, C4F8, NF3
Удаленная плазма NF3F2
Эпитаксия
Кремний (легированный)DCS, TCS, SiH4, (AsH3, PH3, B2H6)
Кремний-германийSiH4, GeH4, CBr4, 1MS, 2MS, 3MS, HCl
Карбид кремния (SiC)SiH4, CH4, C3H8, ТМА, HCl
Полупроводниковые соединения, оптоэлектроника, группы III-V на кремнии
GaAs, InP MOVPE (MOCVD)TMGa, AsH3, ТБА, TMIn, PH3, TBP
GaN MOVPE (MOCVD)TMGa, NH3, НДМГ
МЛЭ (MOMBE)As, P, AsH3, PH3
Травление групп III-VCl2, BCl3, HBr, SiF4, SF6, CH4, GaCl3, InCl3, AsH3, O2
Изготовление фотоэлементов
Концентраторные фотоэлементыPH3, AsH3, металлоорганика, SiH4, GeH4
CIGSH2S, H2Se
Газоснабжение
Абсорберы аварийного сброса газаТоксичные, самовоспламеняющиеся, агрессивные газы
Продувка газораспределительного устройства