Использование в технологических процессах Типичные газообразные и жидкие исходные реагенты, используемые в процессах
Плазменное травление
Травление металлов Cl2, BCl3, HCl, CF4, SF6
Множественное травление Cl2, HBr, Br2, SF6, CF4, NF3, C4F8
Травление нитридов и оксидов CF4, CHF3, C2F6, C3F8, C4F8, CH2F2, NF3,
SF6, O2
Протравливание вольфрама SF6
Ионная имплантация
Высоких, средних и малых энергий AsH3, PH3, BF3, P, As, Sb, Sb(CH3)3, GeH4, GeF4
ОАС, LPCVD, PECVD, HDP-CVD
Тетраэтилортосиликат (ТЭОС), беспримесный ТЭОС, O2, O3
BPSG ТЭОС, O3, TMP, TMB, SiH4, PH3, B2H6
Поликремний (Poly-Si) (легированный) SiH4, (AsH3, PH3)
Кремний-германий SiH4, GeH4
Оксид SiH4, O2
Нитрид, легированный SiH4, NH3, (TMP, TMB, SiH4, PH3, B2H6)
Оксинитрид, легированный SiH4, NH3, N2O, (TMP, TMB, SiH4, PH3, B2H6)
Диэлектрики с пониженной диэлектрической проницаемостью 1MS, 2MS, 3MS, 4MS, DMDMOS
Диэлектрики с высокой диэлектрической проницаемостью ТМА, ТЭМАГ, ТДЭАГ, TAETO, PET
Электроды затвора MPA, Ru(Etcp)2, PEMAT
Химическое осаждение меди Cu(hfac)(TMVS)
Силицид вольфрама WF6, SiH4, H2, (DCS)
Барьерные слои TiCl4, NH3, ТДМАТ, PDMATa, PDEATa,
TAETO, W(CO)6
Плазменная очистка камер
Плазма перфторированных соединений C2F6, C4F8, NF3
Удаленная плазма NF3 F2
Эпитаксия
Кремний (легированный) DCS, TCS, SiH4, (AsH3, PH3, B2H6)
Кремний-германий SiH4, GeH4, CBr4, 1MS, 2MS, 3MS, HCl
Карбид кремния (SiC) SiH4, CH4, C3H8, ТМА, HCl
Полупроводниковые соединения, оптоэлектроника, группы III-V на кремнии
GaAs, InP MOVPE (MOCVD) TMGa, AsH3, ТБА, TMIn, PH3, TBP
GaN MOVPE (MOCVD) TMGa, NH3, НДМГ
МЛЭ (MOMBE) As, P, AsH3, PH3
Травление групп III-V Cl2, BCl3, HBr, SiF4, SF6, CH4, GaCl3, InCl3, AsH3, O2
Изготовление фотоэлементов
Концентраторные фотоэлементы PH3, AsH3, металлоорганика, SiH4, GeH4
CIGS H2S, H2Se
Газоснабжение
Абсорберы аварийного сброса газа Токсичные, самовоспламеняющиеся, агрессивные газы
Продувка газораспределительного устройства