| Процесс химического осаждения из паровой фазы металлоорганических соединений (MOCVD) или, более точно, металлоорганическая газофазная эпитаксия (MOVPE или OMVPE) представляет собой технологию, используемую для выращивания монокристаллических соединений (с эпитаксиальным слоем) из элементов групп III и V периодической таблицы. Такие соединения как арсенид галлия (GaAs), фосфид индия (InP) и нитрид галлия (GaN) используются для производства широкого спектра продуктов, включая оптоэлектронные устройства, транзисторы, фотоэлектрические элементы и светодиоды, что составляет далеко не полный перечень.
С учетом токсичности используемых материалов процесс химического осаждения из паровой фазы металлоорганических соединений (MOCVD) является одним из самых эффективных способов обработки отработанных газов в системах с повышенными требованиями к безопасности. Безопасность персонала и устранение токсичных выбросов в воздух и в водоемы являются главными приоритетами.
| Применение MOVCD |
Типичные используемые газы |
| Транзисторы |
AsH3, PH3, NH3, ТБА, TBP, НДМГ, ТМА, TMGa, TMIn, H2 |
| Оптоэлектроника |
| Фотоэлементы на элементах групп III-V |
| Светодиодное освещение |
| Элементы групп III-V на кремнии |
|
 |
