При сухом плазмохимическом травлении радикал-ионы с высокой реакционной способностью, генерируемые в виде плазмы низкого давления из газообразных галогенов, используются для травления микроструктур в полупроводниковую пластину-подложку. В зависимости от структурируемых материалов в качестве газов для травления обычно используются фтористые соединения, хлор и бром соединения.

Проблемы, сопровождающие усилия по уменьшению загрязнения окружающей среды в результате процессов плазменного травления, включают следующие. Потери рабочего времени из-за засорения линий выпуска травления металлов; коррозия трубопроводов агрессивными реактивами для травления, особенно соединениями брома; потенциал эффекта глобального потепления под воздействием перфторированных газов; выбросы токсичных побочных продуктов травления в воздух и воду (например, трехокиси мышьяка при травлении арсенида галлия).

Процесс плазменного травления Типичные используемые газы
Травление металлов Cl2, BCl3, HCl, CF4, SF6
Травление поликремниевых соединений Cl2, HBr, SF6, CF4, NF3, C4F8
Травление диэлектриков CF4, CHF3, C2F6, C3F8, C4F8, CH2F2, NF3
Протравливание вольфрама SF6
Травление групп III-V (арсенида галлия) Cl2, BCl3, HBr, SF6, CH4
CLEANSORB® At Work