| Большая часть процессов химического осаждения из паровой фазы включает шаг плазменной очистки технологических камер для удаления отложений кремния, металлов, оксидов или других побочных продуктов химического осаждения из паровой фазы со стен камер между шагами обработки полупроводниковых пластин.
Наиболее распространенным способом при химическом осаждении кремния из паровой фазы является использование предварительного источника плазмы для генерирования фтора в качестве травящего вещества из трехфтористого азота, NF3.
Перемежающаяся интенсивная подача агрессивных газов для очистки камер вызывает проблему для большого числа несухих способов очистки. Технология сухого поглощения CLEANSORB обеспечивает возможность удаления агрессивных кислых газов «у источника», исключая необходимость дорогостоящих процессов очистки сточных вод, содержащих хлориды и фториды.
| Использование в технологических процессах |
Типичные используемые газы |
| Чистая кремниевая камера |
F2 (от удаленной плазмы NF3) |
| Чистая камера MOCVD |
Cl2, HCl |
| Чистая фотоэлектрическая камера |
F2 (из генератора фтора) |
|
 |
