플라즈마 식각 |
금속 식각 |
Cl2, BCl3, HCl, CF4, SF6 |
폴리 실리콘 식각 |
Cl2, HBr, Br2, SF6, CF4, NF3, C4F8 |
질화 식각, 산화 식각 |
CF4, CHF3, C2F6, C3F8, C4F8, CH2F2, NF3, |
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SF6, O2 |
텅스텐 에치백(Etchback) |
SF6 |
이온 주입 |
하이, 미디움, 로우 |
AsH3, PH3, BF3, P, As, Sb, Sb(CH3)3, GeH4, GeF4 |
ALD, LPCVD, PECVD, HDP-CVD |
TEOS, 미첨가 |
TEOS, O2, O3 |
BPSG |
TEOS, O3, TMP, TMB, SiH4, PH3, B2H6 |
폴리실리콘(첨가) |
SiH4, (AsH3, PH3) |
실리콘 게르마늄 |
SiH4, GeH4 |
산화물 |
SiH4, O2 |
질화물, 첨가 |
SiH4, NH3, (TMP, TMB, SiH4, PH3, B2H6) |
산화질소, 첨가 |
SiH4, NH3, N2O, (TMP, TMB, SiH4, PH3, B2H6) |
Low-k 유전체 |
1MS, 2MS, 3MS, 4MS, DMDMOS |
High-k 유전체 |
TMA, TEMAH, TDEAH, TAETO, PET |
게이트 전극 |
MPA, Ru(Etcp)2, PEMAT |
구리 CVD |
Cu(hfac)(TMVS) |
텅스텐(규화물) |
WF6, SiH4, H2, (DCS) |
장벽층 |
TiCl4, NH3, TDMAT, PDMATa, PDEATa, |
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TAETO, W(CO)6 |
플라즈마 챔버 세척 |
PFC 플라즈마 |
C2F6, C4F8, NF3 |
원격 NF3 플라즈마 |
F2 |
에피택시 |
실리콘(첨가) |
DCS, TCS, SiH4, (AsH3, PH3, B2H6) |
실리콘 게르마늄 |
SiH4, GeH4, CBr4, 1MS, 2MS, 3MS, HCl |
탄화규소(SiC) |
SiH4, CH4, C3H8, TMA, HCl |
화합물 반도체, 광전자, III-V on Si |
GaAs, InP MOVPE(MOCVD) |
TMGa, AsH3, TBA, TMIn, PH3, TBP |
GaN MOVPE(MOCVD) |
TMGa, NH3, UDMH |
MBE(MOMBE) |
As, P, AsH3, PH3 |
III-V 식각 |
Cl2, BCl3, HBr, SiF4, SF6, CH4, GaCl3, InCl3, AsH3, O2 |
광발전 |
컨센트레이터 광발전 |
PH3, AsH3, 유기금속, SiH4, GeH4 |
CIGS |
H2S, H2Se |
가스 공급 |
비상 가스 배출 흡착제 |
독성, 발화성, 부식성 |
가스 캐비닛 퍼징 |