| 플라즈마 식각 |
| 금속 식각 | Cl2, BCl3, HCl, CF4, SF6 |
| 폴리 실리콘 식각 | Cl2, HBr, Br2, SF6, CF4, NF3, C4F8 |
| 질화 식각, 산화 식각 | CF4, CHF3, C2F6, C3F8, C4F8, CH2F2, NF3, |
| SF6, O2 |
| 텅스텐 에치백(Etchback) | SF6 |
| 이온 주입 |
| 하이, 미디움, 로우 | AsH3, PH3, BF3, P, As, Sb, Sb(CH3)3, GeH4, GeF4 |
| ALD, LPCVD, PECVD, HDP-CVD |
| TEOS, 미첨가 | TEOS, O2, O3 |
| BPSG | TEOS, O3, TMP, TMB, SiH4, PH3, B2H6 |
| 폴리실리콘(첨가) | SiH4, (AsH3, PH3) |
| 실리콘 게르마늄 | SiH4, GeH4 |
| 산화물 | SiH4, O2 |
| 질화물, 첨가 | SiH4, NH3, (TMP, TMB, SiH4, PH3, B2H6) |
| 산화질소, 첨가 | SiH4, NH3, N2O, (TMP, TMB, SiH4, PH3, B2H6) |
| Low-k 유전체 | 1MS, 2MS, 3MS, 4MS, DMDMOS |
| High-k 유전체 | TMA, TEMAH, TDEAH, TAETO, PET |
| 게이트 전극 | MPA, Ru(Etcp)2, PEMAT |
| 구리 CVD | Cu(hfac)(TMVS) |
| 텅스텐(규화물) | WF6, SiH4, H2, (DCS) |
| 장벽층 | TiCl4, NH3, TDMAT, PDMATa, PDEATa, |
| TAETO, W(CO)6 |
| 플라즈마 챔버 세척 |
| PFC 플라즈마 | C2F6, C4F8, NF3 |
| 원격 NF3 플라즈마 | F2 |
| 에피택시 |
| 실리콘(첨가) | DCS, TCS, SiH4, (AsH3, PH3, B2H6) |
| 실리콘 게르마늄 | SiH4, GeH4, CBr4, 1MS, 2MS, 3MS, HCl |
| 탄화규소(SiC) | SiH4, CH4, C3H8, TMA, HCl |
| 화합물 반도체, 광전자, III-V on Si |
| GaAs, InP MOVPE(MOCVD) | TMGa, AsH3, TBA, TMIn, PH3, TBP |
| GaN MOVPE(MOCVD) | TMGa, NH3, UDMH |
| MBE(MOMBE) | As, P, AsH3, PH3 |
| III-V 식각 | Cl2, BCl3, HBr, SiF4, SF6, CH4, GaCl3, InCl3, AsH3, O2 |
| 광발전 |
| 컨센트레이터 광발전 | PH3, AsH3, 유기금속, SiH4, GeH4 |
| CIGS | H2S, H2Se |
| 가스 공급 |
| 비상 가스 배출 흡착제 | 독성, 발화성, 부식성 |
| 가스 캐비닛 퍼징 |
