응용 분야 목록

공정 적용일반적으로 사용되는 가스 또는 액체 전구체
플라즈마 식각
금속 식각Cl2, BCl3, HCl, CF4, SF6
폴리 실리콘 식각Cl2, HBr, Br2, SF6, CF4, NF3, C4F8
질화 식각, 산화 식각CF4, CHF3, C2F6, C3F8, C4F8, CH2F2, NF3,
SF6, O2
텅스텐 에치백(Etchback)SF6
이온 주입
하이, 미디움, 로우AsH3, PH3, BF3, P, As, Sb, Sb(CH3)3, GeH4, GeF4
ALD, LPCVD, PECVD, HDP-CVD
TEOS, 미첨가TEOS, O2, O3
BPSGTEOS, O3, TMP, TMB, SiH4, PH3, B2H6
폴리실리콘(첨가)SiH4, (AsH3, PH3)
실리콘 게르마늄SiH4, GeH4
산화물SiH4, O2
질화물, 첨가SiH4, NH3, (TMP, TMB, SiH4, PH3, B2H6)
산화질소, 첨가SiH4, NH3, N2O, (TMP, TMB, SiH4, PH3, B2H6)
Low-k 유전체1MS, 2MS, 3MS, 4MS, DMDMOS
High-k 유전체TMA, TEMAH, TDEAH, TAETO, PET
게이트 전극MPA, Ru(Etcp)2, PEMAT
구리 CVDCu(hfac)(TMVS)
텅스텐(규화물)WF6, SiH4, H2, (DCS)
장벽층TiCl4, NH3, TDMAT, PDMATa, PDEATa,
TAETO, W(CO)6
플라즈마 챔버 세척
PFC 플라즈마C2F6, C4F8, NF3
원격 NF3 플라즈마F2
에피택시
실리콘(첨가)DCS, TCS, SiH4, (AsH3, PH3, B2H6)
실리콘 게르마늄SiH4, GeH4, CBr4, 1MS, 2MS, 3MS, HCl
탄화규소(SiC)SiH4, CH4, C3H8, TMA, HCl
화합물 반도체, 광전자, III-V on Si
GaAs, InP MOVPE(MOCVD)TMGa, AsH3, TBA, TMIn, PH3, TBP
GaN MOVPE(MOCVD)TMGa, NH3, UDMH
MBE(MOMBE)As, P, AsH3, PH3
III-V 식각Cl2, BCl3, HBr, SiF4, SF6, CH4, GaCl3, InCl3, AsH3, O2
광발전
컨센트레이터 광발전PH3, AsH3, 유기금속, SiH4, GeH4
CIGSH2S, H2Se
가스 공급
비상 가스 배출 흡착제독성, 발화성, 부식성
가스 캐비닛 퍼징