化学気相堆積(CVD)は、ガス状化合物によってウエハの表面に薄膜を堆積するために半導体製造において使用される用途である。 3つの形態は、PECVD(プラズマ強化CVD)、LPCVD(低圧CVD)およびAPCVD(大気圧CVD)である。 一般的な薄膜は、半導体層としてのポリシリコン、誘電体層としての酸化物および窒化物、および導電層としての金属である。 誘電体層を成長させるためには、シラン、TEOS、酸素、窒素、亜酸化窒素およびアンモニアのようなガスが使用されるが、導電層は通常六フッ化タングステンを用いて成長させられる。
CVD Process Typical Gases Used
Oxide / Nitride / Nitrous Oxide TEOS, SiH4, NH3, N2O, O2
Tungsten WF6, SiH4, H2
Chamber Clean NF3, CF4, C3F8, SF6
CS-Clean Solutions Picture Cleansorb at Work