化学気相堆積（ＣＶＤ）は、ガス状化合物によってウエハの表面に薄膜を堆積するために半導体製造において使用される用途である。 ３つの形態は、ＰＥＣＶＤ（プラズマ強化ＣＶＤ）、ＬＰＣＶＤ（低圧ＣＶＤ）およびＡＰＣＶＤ（大気圧ＣＶＤ）である。 一般的な薄膜は、半導体層としてのポリシリコン、誘電体層としての酸化物および窒化物、および導電層としての金属である。 誘電体層を成長させるためには、シラン、ＴＥＯＳ、酸素、窒素、亜酸化窒素およびアンモニアのようなガスが使用されるが、導電層は通常六フッ化タングステンを用いて成長させられる。

CVD Process	Typical Gases Used
Oxide / Nitride / Nitrous Oxide	TEOS, SiH4, NH3, N2O, O2
Tungsten	WF6, SiH4, H2
Chamber Clean	NF3, CF4, C3F8, SF6