エール(原子層エッチング)

ALEは、単原子層までの精度で半導体構造をエッチングすることができる新たなドライエッチング技術である。 それはALDに類似した技術を使用し、それによってエッチングガスは交互の順序でエッチングチャンバに個々に導入される。 これは、単一のエッチングステップ中にいくつかのガスの混合物を通常使用する従来のプラズマエッチングレシピとは異なる。 ALDと同様に、原子層エッチングは反復処理サイクルを使用し、エッチング化学は基板表面上に自己制限単層を形成するように選択される。 半導体処理が10nmノード以下に縮小されるにつれて、ALE技術がnmスケールのFinFETおよび同様の高度なトランジスタ構造をエッチングするために必要とされることが予想される。 入手可能な文献は、ALD技術が、Ar、F 2、Cl 2、BCl 3、HBrを含む、従来のRIEエッチングで使用されたのと同じガスの多くを使用することを示唆している。
CS-Clean Solutions Picture Cleansorb at Work