プラズマエッチング |
メタルエッチング |
Cl2、BCl3、HCl、CF4、SF6 |
ポリシリコンエッチング |
Cl2、HBr、Br2、SF6、CF4、NF3、C4F8 |
窒素エッチング、酸化膜エッチング |
CF4、CHF3、C2F6、C3F8、C4F8、CH2F2、NF3、 |
|
SF6、O2 |
タングステンエッチバック |
SF6 |
イオン注入 |
高、中、低 |
AsH3、PH3、BF3、P、As、Sb、Sb(CH3)3、GeH4、GeF4 |
ALD、LPCVD、PECVD、HDP-CVD |
TEOS、脱ドープ |
TEOS、O2、O3 |
BPSG |
TEOS、O3、TMP、TMB、SiH4、PH3、B2H6 |
ポリシリコン(ドープ) |
SiH4、(AsH3、PH3) |
シリコンゲルマニウム |
SiH4、GeH4 |
酸化物 |
SiH4、O2 |
窒化物、ドープ |
SiH4、NH3、(TMP、TMB、SiH4、PH3、B2H6) |
酸窒化物、ドープ |
SiH4、NH3、N2O、(TMP、TMB、SiH4、PH3、B2H6) |
低-k 絶縁誘導体 |
1MS、2MS、3MS、4MS、DMDMOS |
高-k 絶縁誘導体 |
TMA、TEMAH、TDEAH、TAETO、PET |
ゲート電極 |
MPA、Ru(Etcp)2、PEMAT |
銅 CVD |
Cu(hfac)(TMVS) |
タングステン(ケイ化物) |
WF6、SiH4、H2、(DCS) |
バリア層 |
TiCl4、NH3、TDMAT、PDMATa、PDEATa、 |
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TAETO、W(CO)6 |
プラズマチャンバー洗浄 |
PFC プラズマ |
C2F6、C4F8、NF3 |
リモート NF3 プラズマ |
F2 |
エピタキシー |
シリコン(ドープ) |
DCS、TCS、SiH4、(AsH3、PH3、B2H6) |
シリコンゲルマニウム |
SiH4、GeH4、CBr4、1MS、2MS、3MS、HCl |
炭化ケイ素(SiC) |
SiH4、CH4、C3H8、TMA、HCl |
化合物半導体、光電子工学、III-V on Si |
GaAs、InP MOVPE(MOCVD) |
TMGa、AsH3、TBA、TMIn、PH3、TBP |
GaN MOVPE(MOCVD) |
TMGa、NH3、UDMH |
MBE(MOMBE) |
As、P、AsH3、PH3 |
III-V エッチング |
Cl2、BCl3、HBr、SiF4、SF6、CH4、GaCl3、InCl3、AsH3、O2 |
太陽光発電 |
集光式太陽光発電 |
PH3、AsH3、有機金属、SiH4、GeH4 |
CIGS |
H2S、H2Se |
ガス供給 |
ガス漏えい対応吸収体 |
有毒、発火性、腐食性 |
ガスキャビネットパージ |