イオン注入

集積トランジスタ回路製造中の p および n ドーピング領域の形成における主な工程として、グループ III、IV、Vの元素が制御した分量だけシリコン基板素材に、極めて低い「ドーパント」濃度で導入されます。

イオン注入で使用されるドーパントの流量は比較的少ないものの、使用されるガスは毒性が強く、洗浄が必要です。汚染物質のほとんどが注入器のイオンソースから排出されるため、イオンソースとウエハーチャンバーの両方を CLEANSORB 乾燥床吸着体に接続するのが一般的です。