CLEANSORB 乾燥床吸収体のガス保持性能*
| ガスまたは液体の前駆体種 | 化学式 | 出口濃度 |
|---|---|---|
| アンモニア | NH3 | 20 ppm |
| アルシン | AsH3 | 0.05 ppm |
| ビス（シクロペンタジエニル）マグネシウム | Mg(C5H5)2 | 3 mg/m3（MgO） |
| ビス（tert-ブチルアミノ）シラン | SiH2(NHC4H9)2 | 5 ppm（SiH4） |
| 三臭化ホウ素 | BBr3 | 1 ppm |
| 三塩化ホウ素 | BCl3 | 1 ppm |
| 三フッ化ホウ素 | BF3 | 0.35 ppm |
| 臭素 | Br2 | 0.1 ppm |
| 一酸化炭素 | CO | 30 ppm |
| 塩素 | Cl2 | 0.5 ppm |
| 三フッ化塩素 | ClF3 | 0.1 ppm |
| ヘキサカルボニルクロム | Cr(CO)6 | 2 mg/m3（Cr） |
| ジボラン | B2H6 | 0.1 ppm |
| ジクロロシラン | SiH2Cl2 | 2 ppm（HCl） |
| テルル化ジエチル | Te(C2H5)2 | 0.1 mg/m3（Te） |
| ジエチルアミン | C4H11N | 5 ppm |
| ジエチル亜鉛（DEZn） | Zn(C2H5)2 | 2 mg/m3（Zn） |
| ジゲルマン | Ge2H6 | 0.2 ppm（GeH4） |
| ジメチルジメトキシシラン | Si(CH3)2(OCH3)2 | 5 ppm（SiH4） |
| ジメチルシラン | SiH2(CH3)2 | 5 ppm（SiH4） |
| テルル化ジメチル | Te(CH3)2 | 0.1 mg/m3（Te） |
| ジメチルアミン | C2H7N | 2 ppm |
| ジメチルカドミウム | Cd(CH3)2 | 0.01 mg/m3（Cd） |
| ジメチルヒドラジン（UDMH） | N2H2(CH3)2 | 0.01 ppm |
| ジメチル亜鉛 | Zn(CH3)2 | 2 mg/m3（Zn） |
| ジシラン | Si2H6 | 5 ppm |
| エチルメチルアミン | C3H9N | 2 ppm（ジメチルアミン） |
| フッ素 | F2 | 1 ppm |
| フッ化ホスゲン / フッ化カルボニル | COF2 | 1 ppm（HF） |
| ホルムアルデヒド | CH2O | 0.3 ppm |
| ゲルマン | GeH4 | 0.2 ppm |
| ヒドラジン | N2H4 | 0.01 ppm |
| 臭化水素 | HBr | 1 ppm |
| 塩化水素 | HCl | 2 ppm |
| フッ化水素 | HF | 1 ppm |
| セレン化水素 | H2Se | 0.015 ppm |
| 硫化水素 | H2S | 5 ppm |
| ヨウ素 | I2 | 0.1 ppm |
| メチルトリクロロシラン | CH3SiCl3 | 2 ppm（HCl） |
| モノメチルシラン | SiH3CH3 | 5 ppm（SiH4） |
| 一酸化窒素 | NO | 25 ppm |
| 二酸化窒素 | N2O4（NO2） | 3 ppm |
| ペンタキス（ジメチルアミノ）タンタル（PDMATa） | Ta(N(CH3)2)5 | 2 ppm（ジメチルアミン） |
| ホスゲン | COCl2 | 0.02 ppm |
| ホスフィン | PH3 | 0.1 ppm |
| 五塩化リン | PCl5 | 1 mg/m3 |
| 三臭化リン | PBr3 | 0.5 ppm |
| 三塩化リン | PCl3 | 0.5 ppm |
| 三フッ化リン | PF3 | 3 ppm |
| 塩化ホスホリル | POCl3 | 0.2 ppm |
| ルテノセン | C10H10Ru | 20 mg/m3（Ru） |
| シラン | SiH4 | 5 ppm |
| スチビン | SbH3 | 0.1 ppm |
| 二酸化硫黄 | SO2 | 0.5 ppm |
| タンタルエトキシド | Ta(OC2H5)5 | 20 mg/m3（Ta2O5） |
| 五塩化タンタル | TaCl5 | 2 ppm（HCl） |
| 五フッ化タンタル | TaF5 | 1 ppm（HF） |
| 六フッ化テルル | TeF6 | 0.02 ppm |
| ターシャリーブチルアルシン（TBA） | AsH2(C4H9) | 0.01 mg/m3（As） |
| ターシャリーブチルホスフィン（TBP） | PH2(C4H9) | 0.1 ppm（PH3） |
| 四臭化炭素 | CBr4 | 1 ppm（HBr） |
| テトラカルボニルニッケル | Ni(CO)4 | 0.2 mg/m3（Ni） |
| 四塩化ケイ素 | SiCl4 | 2 ppm（HCl） |
| オルトケイ酸テトラエチル | Si(OC2H5)4 | 10 ppm |
| 四フッ化ケイ素 | SiF4 | 1 ppm（HF） |
| テトラキス（ジメチルアミノ）ハフニウム（TDMAHf） | Hf(N(CH3)2)4 | 2 ppm（ジメチルアミン） |
| テトラキス（ジメチルアミノ）チタン（TDMATi） | Ti(N(CH3)2)4 | 2 ppm（ジメチルアミン） |
| テトラキス（ジメチルアミノ）ジルコニウム（TDMAZr） | Zr(N(CH3)2)4 | 2 ppm（ジメチルアミン） |
| テトラキス（エチルメチルアミノ）ハフニウム（TEMAHf） | Hf(NC2H5CH3)4 | 2 ppm（ジメチルアミン） |
| テトラキス（エチルメチルアミノ）ジルコニウム（TEMAZr） | Zr(NC2H5CH3)4 | 2 ppm（ジメチルアミン） |
| 四塩化チタン | TiCl4 | 2 ppm（HCl） |
| 四フッ化チタン | TiF4 | 1 ppm（HF） |
| 三塩化シラン | SiHCl3 | 2 ppm（HCl） |
| トリエチルアルミニウム | Al(C2H5)3 | 2 mg/m3（Al） |
| トリエチルボラン | B(C2H5)3 | 0.5 mg/m3（H3BO3） |
| トリエチルガリウム | Ga(C2H5)3 | 3 mg/m3（Ga2O3） |
| トリエチルインジウム | In(C2H5)3 | 0.1 mg/m3（In） |
| リン酸トリエチル | PO(C2H5O)3 | 50 mg/m3 |
| 亜リン酸トリメチル | C3H9O3P | 2 ppm |
| トリメチルアルミニウム（TMAl） | Al(CH3)3 | 2 mg/m3（Al） |
| トリメチルアンチモン | Sb(CH3)3 | 0.5 mg/m3（Sb） |
| トリメチルホウ素 | B(CH3)3 | 0.1 ppm |
| トリメチルガリウム（TMGa） | Ga(CH3)3 | 3 mg/m3（Ga2O3） |
| トリメチルインジウム（TMIn） | In(CH3)3 | 0.1 mg/m3（In） |
| トリシラン | Si3H8 | 5 ppm（SiH4） |
| ヘキサカルボニルタングステン | W(CO)6 | 5 mg/m3（W） |
| 六フッ化タングステン | WF6 | 1 ppm（HF） |
| 二フッ化キセノン | XeF2 | 1 ppm（F2） |
* システム仕様は、個々のプロセス用途のレビューと承認に基づいています
