SEMI-CONDUCTEURS COMPOSÉS (MOCVD)

Le MOCVD, ou plus précisément, l’épitaxie organométallique en phase vapeur (MOVPE ou OMVPE), est une technique utilisée pour faire croître des composés monocristallins (épitaxiaux) des éléments appartenant aux groupes III et V du tableau périodique. Des composés tels que GaAs, InP et GaN sont utilisés pour fabriquer différentes gammes de produits, notamment des dispositifs optoélectroniques, des transistors, des cellules solaires et des LED, et bien d’autres.

Compte tenu de la toxicité des matériaux utilisés, le MOCVD figure parmi les applications les plus critiques en termes de sécurité en ce qui concerne la manipulation des gaz d’échappement. La sécurité du personnel et l’élimination des émissions toxiques dans l’atmosphère et dans l’eau constituent une préoccupation prioritaire.

Application MOVCD Gaz généralement utilisés
Transistors AsH3, PH3, NH3, TBAs, TBP, UDMH, TMAl, TMGa, TMIn, H2
Optoélectronique
Photovoltaïque III-V
Éclairage LED
III-V sur silicium
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