Photovoltaïque

Le photovoltaïque CIGS se réfère aux films minces créés à partir des éléments Cuivre Indium Gallium Séléniure (également sulfure). Les structures CIGS sont déposées sous forme de films minces, de manière croissance, sur des substrats flexibles tels que les polymères, en plus du verre. Bien que tous les procédés de production de CIGS ne reposent pas sur les gaz, une technique courante utilise la co-évaporation ou la pulvérisation de sources solides pour former un alliage Cu-In-Ga ensuite enrichi de sélénium et sulfuré en utilisant les gaz H2Se et H2S. Ces deux gaz hautement toxiques se prêtent bien à la chimisorption à lit sec, notamment grâce à la manipulation aisée et sécurisée des sous-produits de réaction à sec. Des modèles CLEANSORB dédiés peuvent être conçus pour la fabrication de CIGS à volumes importants.

 

Application de procédé	Gaz généralement utilisés
Photovoltaïque CIGS	H2Se, H2S