| La plupart des procédés de CVD comprennent une étape de nettoyage de la chambre au plasma destinée à l’élimination du silicium, des métaux, des oxydes ou autres sous-produits de CVD des parois de la chambre entre les étapes de traitement de la plaquette.
Généralement en CVD de silicium, une source de plasma « à distance » en amont est utilisée pour générer du fluor en tant qu’agent de gravure à partir de trifluorure d’azote, NF3.
Les importants débits intermittents de gaz corrosifs utilisés lors du nettoyage de la chambre constituent une difficulté pour de nombreuses technologies d’élimination autres que la technologie à sec. La technologie de chimisorption à lit sec CLEANSORB permet une épuration à la source des gaz acides agressifs et permet d’éviter un traitement coûteux des eaux usées pour l’élimination des chlorures et des fluorures.
| Application de procédé |
Gaz généralement utilisés |
| Nettoyage de la chambre au silicium |
F2 (du plasma NF3 à distance) |
| Nettoyage de la chambre au MOCVD |
Cl2, HCl |
| Nettoyage photovoltaïque de la chambre |
F2 (du générateur de fluor) |
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