Liste des applications

Application de procédéGaz ou précurseurs liquides généralement utilisés
Gravure au plasma
Gravure au métalCl2, BCl3, HCl, CF4, SF6
Gravure au polysiliciumCl2, HBr, Br2, SF6, CF4, NF3, C4F8
Gravure au nitrure, gravure à l’oxydeCF4, CHF3, C2F6, C3F8, C4F8, CH2F2, NF3,
SF6, O2
Gravure en retrait au tungstèneSF6
Implantation ionique
Élevée, moyenne, faibleAsH3, PH3, BF3, P, As, Sb, Sb(CH3)3, GeH4, GeF4
ALD, LPCVD, PECVD, HDP-CVD
TEOS, non dopéTEOS, O2, O3
BPSGTEOS, O3, TMP, TMB, SiH4, PH3, B2H6
Polysilicium (dopé)SiH4, (AsH3, PH3)
Silicium-germaniumSiH4, GeH4
OxydeSiH4, O2
Nitrure, dopéSiH4, NH3, (TMP, TMB, SiH4, PH3, B2H6)
Oxynitrure, dopéSiH4, NH3, N2O, (TMP, TMB, SiH4, PH3, B2H6)
Matériaux à faible constante diélectrique1MS, 2MS, 3MS, 4MS, DMDMOS
Matériaux à forte constante diélectriqueTMA, TEMAH, TDEAH, TAETO, PET
Électrodes de grillesMPA, Ru(Etcp)2, PEMAT
CVD de cuivreCu(hfac)(TMVS)
Tungstène (Siliciure)WF6, SiH4, H2, (DCS)
Couches limitesTiCl4, NH3, TDMAT, PDMATa, PDEATa,
TAETO, W(CO)6
Nettoyage de la chambre au plasma
Composés perfluorés plasmaC2F6, C4F8, NF3
Élimination de plasma NF3F2
Épitaxie
Silicium (dopé)DCS, TCS, SiH4, (AsH3, PH3, B2H6)
Silicium-germaniumSiH4, GeH4, CBr4, 1MS, 2MS, 3MS, HCl
Silicium-carbure (SiC)SiH4, CH4, C3H8, TMA, HCl
Composé semi-conducteurs, optoélectronique, III-V sur Si
GaAs, InP MOVPE (MOCVD)TMGa, AsH3, TBA, TMIn, PH3, TBP
GaN MOVPE (MOCVD)TMGa, NH3, UDMH
MBE (MOMBE)As, P, AsH3, PH3
Gravure III-VCl2, BCl3, HBr, SiF4, SF6, CH4, GaCl3, InCl3, AsH3, O2
Photovoltaïque
Photovoltaïque du concentrateurPH3, AsH3, composé organométallique, SiH4, GeH4
CIGSH2S, H2Se
Approvisionnement en gaz
Systèmes d’absorption d’urgence en cas de rejet de gazGaz toxiques, pyrophoriques, corrosifs
Purge de l’armoire à gaz