| Gravure au plasma |
| Gravure au métal |
Cl2, BCl3, HCl, CF4, SF6 |
| Gravure au polysilicium |
Cl2, HBr, Br2, SF6, CF4, NF3, C4F8 |
| Gravure au nitrure, gravure à l’oxyde |
CF4, CHF3, C2F6, C3F8, C4F8, CH2F2, NF3, |
|
SF6, O2 |
| Gravure en retrait au tungstène |
SF6 |
| Implantation ionique |
| Élevée, moyenne, faible |
AsH3, PH3, BF3, P, As, Sb, Sb(CH3)3, GeH4, GeF4 |
| ALD, LPCVD, PECVD, HDP-CVD |
| TEOS, non dopé |
TEOS, O2, O3 |
| BPSG |
TEOS, O3, TMP, TMB, SiH4, PH3, B2H6 |
| Polysilicium (dopé) |
SiH4, (AsH3, PH3) |
| Silicium-germanium |
SiH4, GeH4 |
| Oxyde |
SiH4, O2 |
| Nitrure, dopé |
SiH4, NH3, (TMP, TMB, SiH4, PH3, B2H6) |
| Oxynitrure, dopé |
SiH4, NH3, N2O, (TMP, TMB, SiH4, PH3, B2H6) |
| Matériaux à faible constante diélectrique |
1MS, 2MS, 3MS, 4MS, DMDMOS |
| Matériaux à forte constante diélectrique |
TMA, TEMAH, TDEAH, TAETO, PET |
| Électrodes de grilles |
MPA, Ru(Etcp)2, PEMAT |
| CVD de cuivre |
Cu(hfac)(TMVS) |
| Tungstène (Siliciure) |
WF6, SiH4, H2, (DCS) |
| Couches limites |
TiCl4, NH3, TDMAT, PDMATa, PDEATa, |
|
TAETO, W(CO)6 |
| Nettoyage de la chambre au plasma |
| Composés perfluorés plasma |
C2F6, C4F8, NF3 |
| Élimination de plasma NF3 |
F2 |
| Épitaxie |
| Silicium (dopé) |
DCS, TCS, SiH4, (AsH3, PH3, B2H6) |
| Silicium-germanium |
SiH4, GeH4, CBr4, 1MS, 2MS, 3MS, HCl |
| Silicium-carbure (SiC) |
SiH4, CH4, C3H8, TMA, HCl |
| Composé semi-conducteurs, optoélectronique, III-V sur Si |
| GaAs, InP MOVPE (MOCVD) |
TMGa, AsH3, TBA, TMIn, PH3, TBP |
| GaN MOVPE (MOCVD) |
TMGa, NH3, UDMH |
| MBE (MOMBE) |
As, P, AsH3, PH3 |
| Gravure III-V |
Cl2, BCl3, HBr, SiF4, SF6, CH4, GaCl3, InCl3, AsH3, O2 |
| Photovoltaïque |
| Photovoltaïque du concentrateur |
PH3, AsH3, composé organométallique, SiH4, GeH4 |
| CIGS |
H2S, H2Se |
| Approvisionnement en gaz |
| Systèmes d’absorption d’urgence en cas de rejet de gaz |
Gaz toxiques, pyrophoriques, corrosifs |
| Purge de l’armoire à gaz |
