| Lors de la gravure au plasma à sec, des ions radicaux hautement réactifs, générés en tant que plasma à faible pression à partir de gaz halogènes, sont utilisés pour graver de fines structures dans une plaquette substrat. Des composés de fluor, de chlore et de brome sont généralement utilisés en tant que gaz de gravure primaires, selon le matériau à structurer.
Les problèmes critiques des procédés de gravure au plasma comprennent : La perte de temps de production due au colmatage des conduites d’échappement de la gravure au métal ; la corrosion des conduites par les produits chimiques agressifs, notamment le bromure, utilisés pour la gravure ; le potentiel de réchauffement climatique des gaz PFC ; les émissions de sous-produits de gravure toxiques dans l’atmosphère et dans l’eau (p. ex. arsenic provenant d’une gravure au GaAs).
| Procédé de gravure au plasma |
Gaz généralement utilisés |
| Gravure au métal |
Cl2, BCl3, HCl, CF4, SF6 |
| Gravure au polysilicium |
Cl2, HBr, SF6, CF4, NF3, C4F8 |
| Gravure diélectrique |
CF4, CHF3, C2F6, C3F8, C4F8, CH2F2, NF3 |
| Gravure en retrait au tungstène |
SF6 |
| Gravure III-V (GaAs) |
Cl2, BCl3, HBr, SF6, CH4 |
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