| Le dépôt de couches atomiques (ALD, Atomic Layer Deposition) permet la croissance de films épitaxiaux et de CVD à contrôler au niveau atomique. Les espèces formant des films sont introduites alternativement dans la chambre de croissance afin de former des monocouches, permettant aux structures du dispositif de croître à des dimensions de 20 nm ou moins.
Le dépôt de grilles de transistors de dernière génération et autres structures critiques nécessitent des complexes métalliques et autres grandes molécules qui sont disponibles uniquement en tant que sources organométalliques liquides. La technologie de chimisorption à lit sec CLEANSORB offre une solution efficace et sûre pour une grande variété de précurseurs ALD gazeux et liquides.
| Procédé ALD |
Gaz généralement utilisés |
| Électrodes de grilles |
MPA, Ru(Cp)2, PEMAT |
| Matériaux à faible constante diélectrique |
1MS, 2MS, 3MS, DMDMOS |
| Matériaux à forte constante diélectrique |
TMA, TEMAH, TDEAH, TAETO, PET |
| Couches limites |
TiCl4, NH3, TDMAT, PDMATa, PDEATa, TAETO, W(CO)6 |
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