SEMICONDUCTORES COMPUESTOS (MOCVD)

La MOCVD, o, más concretamente, la epitaxia organometálica en fase de vapor (MOVPE o OMVPE), es una técnica utilizada para crear compuestos monocristalinos (epitaxiales) con elementos de los grupos III y V de la tabla periódica. Compuestos como GaAs, InP y GaN se utilizan en la fabricación de un amplio abanico de productos, como dispositivos optoelectrónicos, transistores, células fotovoltaicas y LED, por nombrar algunos.

Dada la toxicidad de los materiales utilizados, la MOCVD se encuentra entre las aplicaciones que pueden suponer un mayor riesgo para la seguridad si no se realiza una gestión adecuada de los gases de escape. Es especialmente importante garantizar la seguridad del personal y evitar el vertido de residuos tóxicos en el agua o la emisión de sustancias tóxicas en el aire.

Aplicación de MOVCD	Gases usados normalmente
Transistores	AsH3, PH3, NH3, TBAs, TBP, UDMH, TMAl, TMGa, TMIn, H2
Optoelectrónica
Fotovoltaica con compuestos III-V
Iluminación por LED
Compuestos III-V integrados en silicio