| Ataque por plasma |
| Ataque de metales |
Cl2, BCl3, HCl, CF4, SF6 |
| Grabado de polisilicio |
Cl2, HBr, Br2, SF6, CF4, NF3, C4F8 |
| Grabado de nitruros, grabado de óxido |
CF4, CHF3, C2F6, C3F8, C4F8, CH2F2, NF3, |
| |
SF6, O2 |
| Grabado de tungsteno |
SF6 |
| Implantación de iones |
| Alta, media, baja |
AsH3, PH3, BF3, P, As, Sb, Sb(CH3)3, GeH4, GeF4 |
| ALD, LPCVD, PECVD, HDP-CVD |
| TEOS no dopado |
TEOS, O2, O3 |
| BPSG |
TEOS, O3, TMP, TMB, SiH4, PH3, B2H6 |
| Polisilicio dopado |
SiH4, (AsH3, PH3) |
| Silicio-germanio |
SiH4, GeH4 |
| Óxido |
SiH4, O2 |
| Nitruro dopado |
SiH4, NH3, (TMP, TMB, SiH4, PH3, B2H6) |
| Oxinitruro dopado |
SiH4, NH3, N2O, (TMP, TMB, SiH4, PH3, B2H6) |
| Dieléctricos con valor k bajo |
1MS, 2MS, 3MS, 4MS, DMDMOS |
| Dieléctricos con valor k alto |
TMA, TEMAH, TDEAH, TAETO, PET |
| Electrodos de puerta |
MPA, Ru(Etcp)2, PEMAT |
| CVD de cobre |
Cu(hfac)(TMVS) |
| Tungsteno (siliciuro) |
WF6, SiH4, H2, (DCS) |
| Capas de barrera |
TiCl4, NH3, TDMAT, PDMATa, PDEATa, |
| |
TAETO, W(CO)6 |
| Limpieza de la cámara con plasma |
| Plasma con PCF |
C2F6, C4F8, NF3 |
| Plasma remoto con NF3 |
F2 |
| Epitaxia |
| Silicio dopado |
DCS, TCS, SiH4, (AsH3, PH3, B2H6) |
| Silicio-germanio |
SiH4, GeH4, CBr4, 1MS, 2MS, 3MS, HCl |
| Carburo de silicio (SiC) |
SiH4, CH4, C3H8, TMA, HCl |
| Semiconductores compuestos, optoelectrónica, compuestos III-V integrados en silicio |
| MOVPE de GaAs o InP (MOCVD) |
TMGa, AsH3, TBA, TMIn, PH3, TBP |
| MOVPE de GaN (MOCVD) |
TMGa, NH3, UDMH |
| MBE (MOMBE) |
As, P, AsH3, PH3 |
| Ataque de compuestos III-V |
Cl2, BCl3, HBr, SiF4, SF6, CH4, GaCl3, InCl3, AsH3, O2 |
| Fotovoltaica |
| Tecnología fotovoltaica de concentración |
PH3, AsH3, organometálicos, SiH4, GeH4 |
| CIGS |
H2S, H2Se |
|
Suministro de gas
|
| Absorbedores para emergencias por fuga de gas |
Tóxicos, autoinflamables, corrosivos |
| Purga del módulo de gas |
