Lista de aplicaciones

Aplicación en procesosPrecursores líquidos o gaseosos usados habitualmente
Ataque por plasma
Ataque de metalesCl2, BCl3, HCl, CF4, SF6
Grabado de polisilicioCl2, HBr, Br2, SF6, CF4, NF3, C4F8
Grabado de nitruros, grabado de óxidoCF4, CHF3, C2F6, C3F8, C4F8, CH2F2, NF3,
 SF6, O2
Grabado de tungstenoSF6
Implantación de iones
Alta, media, bajaAsH3, PH3, BF3, P, As, Sb, Sb(CH3)3, GeH4, GeF4
ALD, LPCVD, PECVD, HDP-CVD
TEOS no dopadoTEOS, O2, O3
BPSGTEOS, O3, TMP, TMB, SiH4, PH3, B2H6
Polisilicio dopadoSiH4, (AsH3, PH3)
Silicio-germanioSiH4, GeH4
ÓxidoSiH4, O2
Nitruro dopadoSiH4, NH3, (TMP, TMB, SiH4, PH3, B2H6)
Oxinitruro dopadoSiH4, NH3, N2O, (TMP, TMB, SiH4, PH3, B2H6)
Dieléctricos con valor k bajo1MS, 2MS, 3MS, 4MS, DMDMOS
Dieléctricos con valor k altoTMA, TEMAH, TDEAH, TAETO, PET
Electrodos de puertaMPA, Ru(Etcp)2, PEMAT
CVD de cobreCu(hfac)(TMVS)
Tungsteno (siliciuro)WF6, SiH4, H2, (DCS)
Capas de barreraTiCl4, NH3, TDMAT, PDMATa, PDEATa,
 TAETO, W(CO)6
Limpieza de la cámara con plasma
Plasma con PCFC2F6, C4F8, NF3
Plasma remoto con NF3F2
Epitaxia
Silicio dopadoDCS, TCS, SiH4, (AsH3, PH3, B2H6)
Silicio-germanioSiH4, GeH4, CBr4, 1MS, 2MS, 3MS, HCl
Carburo de silicio (SiC)SiH4, CH4, C3H8, TMA, HCl
Semiconductores compuestos, optoelectrónica, compuestos III-V integrados en silicio
MOVPE de GaAs o InP (MOCVD)TMGa, AsH3, TBA, TMIn, PH3, TBP
MOVPE de GaN (MOCVD)TMGa, NH3, UDMH
MBE (MOMBE)As, P, AsH3, PH3
Ataque de compuestos III-VCl2, BCl3, HBr, SiF4, SF6, CH4, GaCl3, InCl3, AsH3, O2
Fotovoltaica
Tecnología fotovoltaica de concentraciónPH3, AsH3, organometálicos, SiH4, GeH4
CIGSH2S, H2Se
Suministro de gas
Absorbedores para emergencias por fuga de gasTóxicos, autoinflamables, corrosivos
Purga del módulo de gas