LIMPIEZA DE LA CÁMARA CON PLASMA
La mayoría de los procesos de deposición química de vapor (CVD) incluyen la limpieza de la cámara con plasma para eliminar el silicio, los metales y los óxidos depositados, u otros subproductos de la CVD, de las paredes de la cámara entre distintos pasos del procesamiento de las obleas.
Principalmente en la deposición química de silicio en fase de vapor, se utiliza una fuente de plasma remota “aguas arriba” para generar flúor como sustancia corrosiva a partir del trifluoruro de nitrógeno (NF3).
Los elevados flujos intermitentes de gases corrosivos empleados en la limpieza de la cámara suponen un reto para muchas tecnologías de depuración no secas. La tecnología de absorbedor de lecho seco CLEANSORB permite la depuración de gases ácidos agresivos “en el origen” y evita los costosos tratamientos de los cloruros y los fluoruros de las aguas residuales.
| Aplicación en procesos | Gases usados normalmente |
|---|---|
| Limpieza de la cámara para silicio | F2 (procedente de plasma remoto con NF3) |
| Limpieza de la cámara de MOCVD | Cl2, HCl |
| Limpieza de la cámara para estructuras fotovoltaicas | F2 (procedente del generador de flúor) |
