IMPLANTACIÓN DE IONES

Como paso principal en la formación de regiones dopadas de tipo P y N durante la fabricación de circuitos de transistores integrados, se introducen cantidades controladas de elementos de los grupos III, IV y V en el sustrato de silicio en concentraciones “dopantes” muy bajas.

Aunque los caudales de dopantes empleados en la implantación de iones son relativamente bajos, los gases utilizados son muy tóxicos y requieren una depuración. Por otra parte, a pesar de que la mayoría de los contaminantes se evacua desde la fuente de iones del implantador, también es común que tanto la fuente de iones como la cámara de vacío de las obleas estén conectadas al absorbedor de lecho seco CLEANSORB.

Tipo de implantación de ionesGases usados normalmente
Media corrienteAsH3, PH3, BF3, SiF4, GeF4
Alta corriente
Alta energía
Fotovoltaica
CS-Clean Solutions Picture Cleansorb at Work