Deposición de capa atómica (ALD)
La deposición de capa atómica (ALD) permite controlar el aumento del tamaño de las películas epitaxiales y por CVD a nivel atómico. Los distintos elementos que forman la película se introducen de manera alternativa en la cámara de crecimiento para formar monocapas y, de esta forma, las estructuras del dispositivo pueden crecer en incrementos de 20 nm o inferiores.
La deposición de puertas de transistores de última generación y otras estructuras críticas precisa de complejos y otras grandes moléculas que solo están disponibles como sustancias organometálicas líquidas. La tecnología del quimisorbente en lecho seco CLEANSORB ofrece una solución segura y eficiente para una amplia gama de precursores de ALD líquidos y gaseosos.
| Proceso de ALD | Gases usados normalmente |
|---|---|
| Electrodos de puerta | MPA, Ru(Cp)2, PEMAT |
| Dieléctricos con valor k bajo | 1MS, 2MS, 3MS, DMDMOS |
| Dieléctricos con valor k alto | TMA, TEMAH, TDEAH, TAETO, PET |
| Capas de barrera | TiCl4, NH3, TDMAT, PDMATa, PDEATa, TAETO, W(CO)6 |
