Deposición de capa atómica (ALD)
La deposición de puertas de transistores de última generación y otras estructuras críticas precisa de complejos y otras grandes moléculas que solo están disponibles como sustancias organometálicas líquidas. La tecnología del quimisorbente en lecho seco CLEANSORB ofrece una solución segura y eficiente para una amplia gama de precursores de ALD líquidos y gaseosos.
Proceso de ALD | Gases usados normalmente |
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Electrodos de puerta | MPA, Ru(Cp)2, PEMAT |
Dieléctricos con valor k bajo | 1MS, 2MS, 3MS, DMDMOS |
Dieléctricos con valor k alto | TMA, TEMAH, TDEAH, TAETO, PET |
Capas de barrera | TiCl4, NH3, TDMAT, PDMATa, PDEATa, TAETO, W(CO)6 |
