CVD (DEPOSICION DE VAPOR QUIMICA)

La deposición de vapores químicos (CVD) es una aplicación utilizada en la fabricación de semiconductores para depositar una película delgada sobre la superficie de una oblea por medio de compuestos gaseosos. Las tres formas son PECVD (CVD por plasma), LPCVD (CVD de baja presión) y APCVD (CVD de presión atmosférica). Las películas delgadas comunes son poli silicio como capa semiconductora, óxidos y nitruros como capa dieléctrica y metales como capa conductora. Para hacer crecer las capas dieléctricas, se utilizan gases como silanos, TEOS, oxígeno, nitrógeno, óxidos nitrosos y amoníaco, que generalmente se cultivan con hexafluoruros de tungsteno.

Proceso CVDGases típicos utilizados
Óxido / nitruro / óxido nitrosoTEOS, SiH4, NH3, N2O, O2
TungstenoWF6, SiH4, H2
Cámara limpiaNF3, CF4, C3F8, SF6