Ataque por plasma

En el ataque seco por plasma, radicales iónicos muy reactivos generados como plasma a baja presión a partir de gases halógenos se utilizan para el ataque químico de pequeñas estructuras en las obleas. Normalmente se usan compuestos del flúor, el cloro y el bromo como gases corrosivos principales, dependiendo del material que vaya a trabajarse.

Algunas cuestiones críticas relacionadas con la depuración en los procesos de ataque por plasma son: la pérdida de tiempo de producción debida a la obstrucción de las líneas de purga para la corrosión metálica; la corrosión de las tuberías provocada por el uso de sustancias químicas corrosivas fuertes, especialmente el bromo; el posible calentamiento global provocado por los gases PFC; o la emisión o el vertido de subproductos corrosivos tóxicos en el aire y el agua (p. ej., arsénico derivado del ataque con arseniuro de galio).

Proceso de ataque por plasmaGases usados normalmente
Ataque de metalesCl2, BCl3, HCl, CF4, SF6
Grabado de polisilicioCl2, HBr, SF6, CF4, NF3, C4F8
Ataque de dieléctricosCF4, CHF3, C2F6, C3F8, C4F8, CH2F2, NF3
Grabado de tungstenoSF6
Ataque de compuestos III-V (GaAs)Cl2, BCl3, HBr, SF6, CH4
CS-Clean Solutions Picture Cleansorb at Work