Ataque por plasma
En el ataque seco por plasma, radicales iónicos muy reactivos generados como plasma a baja presión a partir de gases halógenos se utilizan para el ataque químico de pequeñas estructuras en las obleas. Normalmente se usan compuestos del flúor, el cloro y el bromo como gases corrosivos principales, dependiendo del material que vaya a trabajarse.
Algunas cuestiones críticas relacionadas con la depuración en los procesos de ataque por plasma son: la pérdida de tiempo de producción debida a la obstrucción de las líneas de purga para la corrosión metálica; la corrosión de las tuberías provocada por el uso de sustancias químicas corrosivas fuertes, especialmente el bromo; el posible calentamiento global provocado por los gases PFC; o la emisión o el vertido de subproductos corrosivos tóxicos en el aire y el agua (p. ej., arsénico derivado del ataque con arseniuro de galio).
| Proceso de ataque por plasma | Gases usados normalmente |
|---|---|
| Ataque de metales | Cl2, BCl3, HCl, CF4, SF6 |
| Grabado de polisilicio | Cl2, HBr, SF6, CF4, NF3, C4F8 |
| Ataque de dieléctricos | CF4, CHF3, C2F6, C3F8, C4F8, CH2F2, NF3 |
| Grabado de tungsteno | SF6 |
| Ataque de compuestos III-V (GaAs) | Cl2, BCl3, HBr, SF6, CH4 |
