ALE (GRABADO CAPA ATÓMICA)

ALE es una tecnología emergente de grabado en seco capaz de grabar estructuras semiconductoras con una precisión de capas atómicas simples. Emplea una técnica análoga a la ALD, en la que los gases grabadores se introducen individualmente en la cámara de grabado en una secuencia alterna. Esto es diferente a las recetas convencionales de grabado con plasma que típicamente usan una mezcla de varios gases durante una sola etapa de grabado. Al igual que la ALD, el grabado de la capa atómica utiliza ciclos de procesamiento repetidos, y la química del grabado se elige para formar una monocapa autolimitada en la superficie del sustrato. A medida que el procesamiento de semiconductores se reduce por debajo del nodo de 10 nm, se espera que la técnica ALE se requiera para grabar FinFET a escala nm y estructuras de transistores avanzados similares. La literatura disponible sugiere que la técnica ALD utilizará muchos de los mismos gases utilizados en el grabado RIE convencional, que incluyen: Ar, F 2 , Cl 2 , BCl 3 , HBr.