Anwendungsübersicht

ProzessapplikationTypische Gase und flüssige Precursoren
Plasmaätzen
Metall ÄtzenCl2, BCl3, HCl, CF4, SF6
Polysilizium ÄtzenCl2, HBr, Br2, SF6, CF4, NF3, C4F8
Nitrid Ätzen, Oxid ÄtzenCF4, CHF3, C2F6, C3F8, C4F8, CH2F2, NF3,
SF6, O2
Wolfram ÄtzenSF6
Ionenimplantation
Hoch-, Mittel-, SchwachstromAsH3, PH3, BF3, P, As, Sb, Sb(CH3)3, GeH4, GeF4
ALD, LPCVD, PECVD, HDP-CVD
TEOS, undotiertTEOS, O2, O3
BPSGTEOS, O3, TMP, TMB, SiH4, PH3, B2H6
Poly-Si (dotiert)SiH4, (AsH3, PH3)
Silizium-GermaniumSiH4, GeH4
OxidSiH4, O2
Nitrid, dotiertSiH4, NH3, (TMP, TMB, SiH4, PH3, B2H6)
Oxinitrid, dotiertSiH4, NH3, N2O, (TMP, TMB, SiH4, PH3, B2H6)
Low-k Dielectrika1MS, 2MS, 3MS, 4MS, DMDMOS
High-k DielectrikaTMA, TEMAH, TDEAH, TAETO, PET
Gate-ElektrodenMPA, Ru(Etcp)2, PEMAT
Kupfer-CVDCu(hfac)(TMVS)
Wolfram (-silizid)WF6, SiH4, H2, (DCS)
SperrschichtenTiCl4, NH3, TDMAT, PDMATa, PDEATa,
TAETO, W(CO)6
Kammerreinigung
PFC PlasmaC2F6, C4F8, NF3
NF3 Remote PlasmaF2
Epitaxie
Silizium (dotiert)DCS, TCS, SiH4, (AsH3, PH3, B2H6)
Silizium-GermaniumSiH4, GeH4, CBr4, 1MS, 2MS, 3MS, HCl
Silizium-Carbid (SiC)SiH4, CH4, C3H8, TMA, HCl
Verbindungshalbleiter, Optoelektronik, III-V auf Si
GaAs, InP MOVPE (MOCVD)TMGa, AsH3, TBA, TMIn, PH3, TBP
GaN MOVPE (MOCVD)TMGa, NH3, UDMH
MBE (MOMBE)As, P, AsH3, PH3
III-V ÄtzenCl2, BCl3, HBr, SiF4, SF6, CH4, GaCl3, InCl3, AsH3, O2
Photovoltaik
Konzentrator-PhotovoltaikPH3, AsH3, Metallorganika, SiH4, GeH4
CIGSH2S, H2Se
Gasversorgung
NotfallabsorberToxisch, selbstentzündlich, korrosiv
Spülgasentsorgung