ALE (Atomic Layer Etching)

Mit der neuartigen Trockenätz-Technologie ALE lassen sich Halbleiterstrukturen mit höchster Präzision auf atomarer Ebene ätzen. Ähnlich der ALD-Technik werden die Ätzgase beim ALE in wechselnder Sequenz einzeln in die Ätzkammer eingebracht. Dies unterscheidet das ALE-Verfahren vom herkömmlichen Plasmaätzen, bei dem üblicherweise mehrere Gase während eines einzelnen Ätzschrittes verwendet werden. Analog zum ALD-Verfahren wiederholen sich auch hier die Prozesszyklen, wobei sich auf der Substrat-Oberfläche eine Monomolekulare Schicht bildet.
Während die Halbleiterherstellung in immer kleinere Größenordnungen vordringt, sollen mithilfe der ALE-Technik FinFET- und ähnlich anspruchsvolle Transistorstrukturen im Nanometerbereich aufgebracht werden. Hierbei werden größtenteils die gleichen Gase eingesetzt wie auch beim konventionellen RIE-Ätzverfahren, also zum Beispiel Ar, F2, Cl2, BCl3, HBr.